U.S. DOD/DARPA: Microsystems Technology BAA Dynamic Range-enhanced Electronics and Materials - DREaM (HR001117S0024)
| שם: |
U.S. DOD/DARPA: Microsystems Technology BAA Dynamic Range-enhanced Electronics and Materials - DREaM (HR001117S0024) תאריך הגשה: 24/05/17 לאתר הקול הקורא |
|---|---|
| תיאור כללי: |
Aim: to exploit new materials and novel device structures to create g high power and high linearity RF transistors that enable asymmetric operations in a complex electromagnetic spectrum. www.fbo.gov/index?s=opportunity&mode=form&id=e42eb8b1b611557a087992eb0e6c4695&tab=core&_cview=0
|
| מקור: | זר |
| איש קשר: | Robi – 2152, robertg@technion.ac.il, Michal - 1745, MichalL@trdf.technion.ac.il |
| תחומים: | מדעים מדויקים |
| סוג הקרן: | הקרן אינה קרן תחרותית. |
| קרן ופרופילים משויכים: | Defense Advanced Research Projects Agency - DARPA ,פתוח לחברי סגל הטכניון בלבד. אנא התחבר\י כדי לצפות בפרופילי המימון של הקרן (בפינה הימנית העליונה). |